パワーデバイス開発エンジニア(2)

Location: Hitachinaka, jp

求人内容

本ポジションでは現在複数名の採用を予定しております。同一内容の求人が複数掲載されている場合がございますが、ご応募は1件のみで問題ございません。ご応募内容は採用チームにて一括で確認させていただきます。

【募集背景】

当社では、自動車向けの新規半導体デバイスに加え、今後の成長領域としてAI向け半導体デバイスの開発に注力しています。これらの製品に用いられる半導体デバイス開発および製造プロセス開発を強化するため、人材を募集します。
デバイス設計からプロセス開発、量産立ち上げまで幅広く関与し、製品価値の最大化に直接貢献していただきます。

【業務内容】

▼半導体デバイス・プロセス開発

• 構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発エンジニア
• デバイス構造設計やウエハプロセスフロー構築及びデバイス測定評価
• 要素プロセス技術、製品設計、品質保証など多部門との連携

※就業場所の変更の範囲、従事すべき業務の変更の範囲については、選考時に詳細をお伝えいたします。

資格

【募集背景】

当社では、自動車向けの新規半導体デバイスに加え、今後の成長領域としてAI向け半導体デバイスの開発に注力しています。これらの製品に用いられる半導体デバイス開発および製造プロセス開発を強化するため、人材を募集します。
デバイス設計からプロセス開発、量産立ち上げまで幅広く関与し、製品価値の最大化に直接貢献していただきます。

【業務内容】

▼半導体デバイス・プロセス開発

• 構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発エンジニア
• デバイス構造設計やウエハプロセスフロー構築及びデバイス測定評価
• 要素プロセス技術、製品設計、品質保証など多部門との連携

※就業場所の変更の範囲、従事すべき業務の変更の範囲については、選考時に詳細をお伝えいたします。

その他の情報

【MUST】

• 半導体デバイス構造設計やプロセス開発経験　5年以上（半導体物理の基礎知識、ウェハプロセス試作経験）
• 半導体デバイス開発未経験の方でも当分野トップレベルのエンジニアとしてスキルアップに取り組める方
• 日本語：ビジネスレベル

【WANT】

• ウエハレベル電気特性測定スキル
• TEG（Test Element Group）レイアウト設計スキル
• 英語：日常会話レベル

ルネサスは、「To Make Our Lives Easier（人々の暮らしをより豊かで快適にする）」というPurposeのもと、組込み半導体ソリューションを提供するグローバル企業です。世界30か国以上で活躍する21,000人を超えるエンジニアや課題解決のプロフェッショナルとともに、自動車、産業、インフラ、IoT分野における世界最先端のテクノロジー開発に携わり、より安全で、健康的で、環境にやさしく、スマートな未来の実現に貢献しています。 

ルネサスでは、「TAGIE（Transparent、Agile、Global、Innovative、Entrepreneurial）」を企業文化の中核としています。TAGIEは、私たちの働き方や成長のあり方、そしてPurposeの実現に向けた取り組みを支える共通の価値観です。この協調的な精神と挑戦するマインドセットが、半導体技術を通じた産業の変革と、世界中の人々の暮らしへの貢献を可能にしています。 

私たちは、競争力のある報酬制度に加え、充実した福利厚生をご用意しています。福利厚生の詳細については、選考プロセスの中でご案内いたします。 

私たちとともに未来を創造する挑戦に、ぜひ参加しませんか。皆さまからのご応募をお待ちしております。